Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах

Г. ДЖОНС; Г. Джонс; Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича ; Пер. с англ

от ISIS без текст [value_code] => [value_name] => ) ) ) 1 -->

Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах

Б42595

Детайли

Издателство

Мир

Местоиздаване

Москва

Година на издаване

1968

Страници

264 с. с черт.

Класификационен индекс

УДК	Значение
ОВ616.1	ОВ616. 1 --> от ISIS без текст

Допълнителна информация

Отрасъл

Физика

Забележка

Библиогр. след всяка глава.

Инвентаризация

Статус	Брой
Централна библиотека-хранилище	1

Действия

MLA (7th edition) Chicago / Turabian (16th edition) Harvard

ДЖОНС, Г., Джонс, Г., , Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича ; Пер. с англ Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах, Мир, 1968, 264 с. с черт..

ДЖОНС, Г., Джонс, Г., , Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича ; Пер. с англ. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. Москва: Мир, 1968, 264 с. с черт..

ДЖОНС, Г., Джонс, Г., , Под ред. В. Л. Бонч-Бруевича ; Пер. с англ (1968) Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах, Москва: Мир, 264 с. с черт.