Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden

Diss.

Rainer Duschl
Ref.: K. von Klitzing

ЦБ ДБ 8889

Местоиздаване

Stuttgart

Година на издаване

2000

Страници

136 p.

Класификационен индекс

УДК	Тематика
539	Строеж на материята. /П, Ч/

Отрасъл

Физика

Забележка

Diss. ...vorgelegr bei der Fak. Physik der Univ. Stuttgart. - Bibliogr. p. 133-134

Системен №

202236

Допълнителна сигнатура

D93

Инвентаризация

Статус	Брой
отчислен (ОТЧ)	1

Duschl, R. Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden, , 2000, 136 p..

Duschl, R. . Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden. Stuttgart: , 2000, 136 p..

Duschl, R. (2000) Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden, Stuttgart: , 136 p.

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