Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden

Diss.

Rainer Duschl
Други: K. Klitzing (Ref.)

ЦБ ДБ 8889

Местоиздаване

Stuttgart

Година на издаване

2000

Страници

136 p.

Класификационен индекс

УДК	Значение
539	Строеж на материята. /П, Ч/

Отрасъл

Физика

Забележка

Diss. ...vorgelegr bei der Fak. Physik der Univ. Stuttgart. - Bibliogr. p. 133-134

Инвентаризация

Статус	Брой
отчислен	1

Duschl, Rainer Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden, , 2000, 136 p..

Duschl, Rainer. Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden. Stuttgart: , 2000, 136 p..

Duschl, Rainer (2000) Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden, Stuttgart: , 136 p.