Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках

Владимир М. АРУТЮНЯН; В. М. Арутюнян

В14764

Детайли

Местоиздаване

Ереван

Година на издаване

1977

Страници

326 с. с черт. и ил. 1 л. черт.

Класификационен индекс

УДК	Тематика
ОВ43	ОВ43 --> от ISIS без текст

Допълнителна информация

Отрасъл

Физика

Забележка

Изд. Акад. наук Арм. ССР. Институт редаофизики и электроники

Системен №

18245

Инвентаризация

Статус	Брой
Централна библиотека-хранилище (ЦБ)	1

Действия

APA Chicago / Turabian (16th edition) Harvard MLA (7th edition)

АРУТЮНЯН, В., Арутюнян, В. Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках, , 1977, 326 с. с черт. и ил. 1 л. черт..

АРУТЮНЯН, В., Арутюнян, В. . Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках. Ереван: , 1977, 326 с. с черт. и ил. 1 л. черт..

АРУТЮНЯН, В., Арутюнян, В. (1977) Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках, Ереван: , 326 с. с черт. и ил. 1 л. черт.

АРУТЮНЯН, В., & Арутюнян, В. (1977). Генерационно-рекомбинационные эффекты и двойная инжекция в полупроводниках. Ереван: 326 с. с черт. и ил. 1 л. черт..